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SE97B_1
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Product data sheet
Rev. 01  27 January 2010
41 of 53
NXP Semiconductors
SE97B
DDR memory module temp sensor with integrated SPD
Fig 28.   EVENT
 output V
OL
 at I
OL
= 0.7 mA
Fig 29.   EVENT
 output V
OL
 at I
OL
= 2.1 mA
Fig 30.   EVENT
 output V
OL
 at I
OL
= 3.0 mA
Fig 31.   Conversion rate
Fig 32.   Conversion period
Fig 33.   EEPROM write cycle time
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
002aaf186
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
0
V
OL
(V)
V
DD
 = 3.6 V
3.0 V
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
002aaf187
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
0
V
OL
(V)
V
DD
 = 3.6 V
3.0 V
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
002aaf188
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
0
V
OL
(V)
V
DD
 = 3.6 V
3.0 V
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
002aad886
9
11
7
13
15
5
conversion rate
(conv/s)
60
120
100
80
140
T
conv
(ms)
002aad887
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
3
4
5
T
cy(W)
(ms)
2
T
amb
 (癈)
40
120
80
0
40
002aad888
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